سنتز نانوساختارGaN بروی زیرلایه Si به روش نیمه صنعتیPACVD

نیترید گالیم  (GaN)از مواد اپتوالترونیکی است که کاربردهای فراوانی در عرصه الکترونیک دارد. در این تحقیق روش ساخت نانوساختار GaN روی زیرلایه Si به روش رسوب بخار شیمیایی به کمک پلاسما (PACVD) بررسی شده و خواص این نانوساختار مورد ارزیابی قرار گرفته است. پیش ماده مورد استفاده ترکیبGaCl۳  و گاز H۲، N۲ و Ar بود. از پلاسما برای بهینه سازی لایه نشانی در  موارد مختلف استفاده شد. سازوکار رشد خصوصیات مورفولوژیکی و ساختار نانوساختار GaN رشد یافته روی زیرلایه Si با استفاده از دستگاه تصویربردای FE-SEM و GIXRD بررسی و ساختاری بلوری از ترکیب GaN در دمای ۵۲۰ مشاهده شده است.