ارائه جدیدی از مدار مقایسه گر در منطق چند ارزشی با ترکیب مد جریان و ولتاژ و با استفاده از ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی

در این مقاله یک مدار مقایسه گر با ترکیبی از مدهای ولتاژی و جریانی و با تکنولوژی نانو ارائه شده است . ورودی ها ی مدار ازنوع جربانی و خروجی مدار بصورت ولتاژی می باشد . این مدار بصورت فازی و چند ارزشی می باشد و با استفاده ازترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی (CNTFET) در شبیه ساز HSPICE پیاده سازی شده است . در شبیه سازیاین مدار، پارامترهای تاخیر و توان مصرفی در متغیرهای مختلف توسط CSCOPE محاسبه شده اند . نتایج شبیه سازی هانشان داده اند که عملکرد این مدار از نقطه نظر سرعت حدود %۷۰ بهتر از مدارات تشخیص با متد طراحی یکسان ( ترکیبی ازمد ولتاژ و جریان) بوده است و توان مصرفی مناسبی را در اختیار ما قرار می دهد . این مدار در دماهای مختلف نیز شبیهسازی شده است و نتایج پارامترهای تاخیر زمانی و توان مصرفی نشان دهنده ثابت بودن عملکرد مدار در دماهای متفاوت میباشد که برای یک مدار مقایسه گر می تواند مزیت بالایی باشد.