شبیه سازی پروسه ساخت ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با کاشت دو مرحله ای نواحی سورس و درین

در این مقاله به شبیه سازی ساخت و پیاده سازی فرآیند های سیماس ساختار ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با کاشت دو مرحله ای نواحی سورس و درین پرداخته شده است. این نوع ترانزیستور، شامل دو لایه اصلی عایق اکسید سیلیکون و الماس است. فناوری سیلیکون روی الماس، به عنوان یک جایگزین پیشرفته برای فناوری سنتی سیلیکون روی عایق، مطرح شده است. در این ساختار، الماس به عنوان عایق الکتریکی اول، منتشرکننده گرما و بدنه ترانزیستور بر روی زیر لایه سیلیکونی قرار دارد. لایه عایق دوم، دی اکسید سیلیکون است که بر روی لایه الماس قرار گرفته و از دو طرف به نواحی سورس و درین ترانزیستور محدود شده است. از مزایای این ساختار میتوان به: کاهش دمای کل چیپ، کاهش اثرات کانال کوتاه، کاهش جریان نشتی، اشاره کرد. در این مقاله با هدف اثبات امکان ساخت ترانزیستور سیلیکون روی عایق دولایه مطابق با فرآیند های استاندارد ساخت سیماس، به شبیه سازی و بررسی فرآیندهای ساخت ترانزیستور پرداخته شد. درنهایت مشخصات الکتریکی ترانزیستور استخراج گردید تا اطمینان حاصل گردد ترانزیستور ساخته شده کارآیی مناسب را دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی، موید امکان ساخت ترانزیستور سیلیکون روی عایق دو لایه مطابق با مراحل استاندارد ساخت سیماس میکروالکترونیک است.