افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف

در سلولهای خورشیدی لایه نازک CIGS به علت ضخامت بسیار کم لایه جاذب و بافر نور زیادی به کنتاکت پشتی می رسد و از طرفی لایه اکسیدشفاف 2ZnO که نیمه رسانای نوع n است در نقطه اتصالش به کنتاکت فلزی با ایجاد سد شاتکی دو عامل اصلی ایجاد تلفات در سلول هستند.در اینمقاله برای بهبود بازده این سلولها روشی پیشنهاد شده که اساس آن افزایش دوپینگ قسمتی از لایه جاذب واکسید شفاف است،که اثرات آن به ازایضخامت های مختلف بحث شده وبازدهی را تا 3.11 %افزایش داده است.