طراحی مدارهای تمام جمع کننده ی جدید برای تکنولوژی ولتاژ زیر آستانه

در این مقاله دو ساختار جدید تمام جمع کننده ی تک بیتی ارائه شده است. مدارهای موجود برای بلوک های تمام جمع کننده بررسی و همچنین دو مدار تمام جمع کننده ی طراحی شده با تمام جمع کننده های رایج از نظر تأخیر انتشار ، توان مصرفی، PDP و P2DP در تکنولوژی ولتاژ زیر آستانه مقایسه شده است. نتایج شبیه سازی نرم افزار HSPICE نشان می دهد که تمام جمع کننده های پیشنهادی، نسبت به تمام جمع کننده ی TG به طور قابل توجهی بهبود یافته است. مقایسه ساختارهای تمام جمع کننده در منبع ولتاژ mV260 انجام شده است. یکی از مدارهای تمام جمع کننده ی پیشنهادی دارای 14 ترانزیستور است که در ولتاژهای پایین به خوبی کار می کند، در مقایسه با تمام جمع کننده ی T14 رایج که در ولتاژهای پایین کار نمی کند.