تحلیل سلول خورشیدی سه پیوندی GaInP/GaAs/Ge و بهینه سازی راندمان آن
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 530
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEES01_208
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله راندمان سلول خورشیدی سه پیوندی GaInP/GaAs/Ge به روش مدلسازی عددی newton و gummel مورد بررسی قرار گرفته است. این سه سلول بدلیل پوشش کردن طیف انرژی نور خورشید و همچنین عدم همپوشانی طیف جذبی همدیگر و نیز تطبیق شبکه ای دارای راندمان اولیه بالایی 29/3% است. با اضافه کردن لایه BSF در زیر پایه سلول، راندمان به 30/7 افزایش می یابد. بدلیل آنکه جریان تولیدی سلول با طول پخش حامل نسبت مستقیم دارد، با افزایش پارامتر ضخامت پیوند، راندمان سلول تا 30/92% افزایش داده شد. افزایش ضخامت توسط چالشی بنام اثر سایه )برروی سلول های پایینتر( محدود میشود. اثر سایه برای پایین ترین سلول )ژرمانیم( معنی نداشتهبنابراین ضخامت ژرمانیم نزدیک به 99 درصد کل سلول را تشکیل میدهد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :