طراحی، ساخت و تحلیل دیود فوتودیود شاتکی Au/p-InP

در این مقاله طراحی،ساخت و تحلیل دیود آشکارساز نوری شاتکی Au/p-InP گزارش می شود . فوتودیود مذکور با استفاده از رشد لایه کم غلظت p-InP به عنوان لایه جاذب نور بر روی زیر لایه پرغلظت p+_InP به روش Liquid Phase (LPE Epitaxy) ساخته می شود . غلظت لایه رشد داده شده حدود 16^10*8/49 می باشد . مرحله فلز نشانی به روش تبخیر در خلاء انجام می شود. اتصال شاتکی با استفاده از لایه طلا بر روی لایه رشد یافته ایجاد می گردد . برای نوردهی ضخامت قسمتی از اتصال شاتکی حدود 100 آنگستروم در نظر گرفته می شود . ارتفاع سد پتانسیل حدود 0.73 الکترون ولت برای این فوتودیود بدست می آید. راندمان فوتودیود ساخته شده تحت نور لیزر هلیوم – نئون 30% بدست می آید.