ارائه مداری کم توان برای واحد تولیدکننده بیت نقلی درتمام جمع کننده سه ارزشی بااستفاده از تکنولوژی نانو لوله های کربنی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 521
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CITCONF03_611
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله:
منطقه چند ارزشی به علت مزایایی از قبیل کاهش خطوط ارتباطی، کاهش توان مصرفی و کاهش مساحت تراشه نسبت به منطقه دوازشی، مورد توجه زیادی واقع شده است در حال حاضر تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی باقابلیت تنظیم آسان ولتاژ آستانه در کنار مزایای منحصر به فرد دیگر از قبیل مصرف توانکم جریان خاموشی پایین و انتقال جریان به صورت بالستیک انتخاب مناسبی برای پیاده سازی مدارهای چند ارزشی می باشد در اینمقاله ما بااستفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی مداری باساختاری ساده و مصرف توان پایین را برای واحد تولید کننده بیت نقلی در تمام جمع کننده سه ارزشی معرفی کرده ایم. براساس نتایج شبیهسازی مدار پیشنهادی جدید علاوه بر اینکه باعث کاهش بیش از 50% توان مصرف نسبت به طرح ارائه شده اخیر شده تخیر مدار را نیز بهبود داده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فرشته جعفرزاده پور
گروه مهندسی کامپیوتر دانشکده علوم دانشگاه آزاد اسلامی کرمان ایران
پیمان کشاورزیان
گروه مهندسی کامپیوتر دانشکده علوم دانشگاه آزاد اسلامی کرمان ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :