مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,631
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_353
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
چکیده مقاله:
این مقاله به بررسی اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصه های الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق (DG-SOI MOSFET) در ناحیه زیرآستانه می پردازد. شبیه سازی های انجام شده نشان می دهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایشخازن موثر گیت (CG,eff) می شود، در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد؛ ابن امر ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترون ها در اثر کاهش ضخامت بدنه می باشد. با کاهش طول نواحی سورس و درین (LD،LS)، خازن لبه ای (CFringe) کوچک می گردند . در نتیجه (CG,eff) کاهش می یابد، این در حالی است که مشخصه جریان - ولتاژ و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر چندانی نمی کنند. بررسی های انجام شده بر طول ناحیه ناهمپوشانی گیت (Lun) حاکی از آن است که افزایش Lun باعث کمتر شدن (CG,eff) و اثر کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین (DIBL)، و نیز افزایش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش افزاره (ION/IOFF) می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد نعمتیان
آزمایشکاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :