مطالعه اثر آلایش MgO بر رفتار مغناطو مقاومت لایههای نازک منگنایت
محل انتشار: هفتمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,340
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE07_073
تاریخ نمایه سازی: 29 خرداد 1387
چکیده مقاله:
لایه های نازک منگنایت(در متن اصلی موجود می باشد) با استفاده از دستگاه لایه نشانی تپش لیزری (PLD) ساخته شد. سپس تأثیر افزودن MgO بر مغناطو مقاومت این لایه ها مورد بررسی قرار گرفته است . مطالعات نشان میدهد که MgO به عنوان فاز جداگانهای در بین دانهها قرار می گیرد . مقاومت الکتریکی نمونه ها در میدانهای 0/0 ، 0/3 ، 7/0 و 0/1 تسلا اندازه گیری شد . نتایج این اندازه گیری حاکی از آن است که مغناطو مقاومت لایه های نازک مورد مطالعه تحت تاثیر قرارگرفتن MgO در مرزدانه ها به صورت قابل توجهی افزایش می یابد. مقدار بیشینه مغناطو مقاومت برای نمونه آلاییده به MgO در میدان مغناطیسی 1 تسلا حدود2 درصد به دست آمد در حالی که این مقدار برای نمونه خالص حدود 18 درصد است . تونل زنی وابسته به اسپین و پراکندگی در مرز دانه ها توجیهی برای افزایش مغناطو مقاومت در نمونه آلاییده نسبت به نمونه خالص است .
نویسندگان
پرویز کاملی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
هادی سلامتی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
حسین احمدوند
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
بروس دیویدسون
TASC-INFM National Laboratory, Trieste, Italy
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :