بررسی توان در مدار وارونگرCMOS با استفاده از تکنولوژی های 90nm 65 و nm و کاهش ولتاژ منبع تغذیه
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 469
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE01_025
تاریخ نمایه سازی: 25 آذر 1395
چکیده مقاله:
امروزه ناحیه تمرکز اصلی در صنعتVLSI اتلاف توان و مصرف توان تراشه می باشد.تکنیک های مختلف براساس مدهای ذخیره توان،طراحی ساختار،بازسازی مدارها،طرح توزیع کلاک توسعه داده شده اند.سیستمهای کدگذاری متفاوت برای کاهش کار سوییچینگ مدار توسعه داده شده است.هم اکنون صنعت بسوی نانوتکنولوژی درحال حرکت است ، به همین دلیل در این مقاله سعی شده است تا با استفاده ازترانزیستورهایی در مقیاس نانو و کاهش ولتاژ منبع تغذیه با توجه به تکنولوژی در نظر گرفته شده در هر مرحله ، توان مصرفی را در مدار cmos تا حد امکان کاهش دهیم .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فروغ فلاحی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محمود آل شمس
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
عباس کمالی
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :