طراحی تقویت کننده کم نویز CMOS پهن باند 7 تا 17 گیگاهرتز با تکنیک فیدبک مقاومت موازی
محل انتشار: اولین همایش ملی علوم کاربردی و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 468
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ASEA01_057
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396
چکیده مقاله:
تقویت کننده های کم نویز، یکی از اجزای اساسی گیرنده در مخابرات بی سیم محسوب می شوند زیرا عملکرد آنها کارایی سیستم را از نظر نویز و خطی بودن مشخص می کند .هدف اصلی این مقاله تحلیل و طراحی تقویت کنندهکم نویز فراپهن باند توسط تکنولوژی CMOS است .تقویت کننده کم نویز طراحی شده در تکنولوژی 130نانو وپهنای باند 7 تا 17 گیگاهرتز و با منبع تغذیه 2.1 ولت و توان مصرفی 7.13 میلی وات و دارای گین dB 17 و عدد نویز 6.2 تا 4.3 dB می باشد. در این مقاله از تکنیک های فیدبک مقاومتی و سلف دیجنریشن استفاده شده که علاوه بر ایجاد تطبیق امپدانس ورودی برای انتقال ماکزیمم توان، مقدار نویز مدار نیز بهینه می شود و همچنین تاثیر تغییرات اجزا مدار بر پارامترهای پراکندگی مدار بررسی شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جعفر حضرتی یادکوری
کارشناسی ارشد برق الکترونیک،دانشگاه آزاد سپیدان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :