مطالعه تیوری و تجربی افت توان ناشی از هیسترزیس مغناطیسی در ترفنل - دی

محدودیت اصلی استفاده از ترفتل دی در عملگرها و حسگرها، افت توان ناشی از هیسترزیس مغناطیسی آن است که در عملگرها منجر به کاهش بازده مکانیکی و در حسگرها موجب کاهش دقت و کوچکتر شدن محدوده اندازه گیری خطی می شود. در مقاله حاضر، افت توان ناشی از هیسترزیس مغناطیسی در ترفنل-دی و عوامل موثر بر آن مورد مطالعه تجربی و مدلسازی تیوری قرار گرفته است. در ابتدا یک مجموعه آزمایشگاهی ابتکاری ساخته شده است تا امکان مطالعه رفتار مغناطیسی ترفنل-دی از طریق به دست آوردن منحنی های هیسترزیس آن شامل چرخه های بزرگ و کوچک در مقادیر مختلف فرکانس، شدت میدان مغناطیسی و پیش تنش مکانیکی فراهم گردد. از منحنی های هیسترزیس به دست آمده به عنوان اطلاعات ورودی در رابطه تحلیلی افت توان ناشی از هیسترزیس استفاده شده است. نتایج نشان دهنده آن است که افت توان ناشی از هیسترزیس با افزایش فرکانس میدان مغناطیسی، افزایش مقدار ماکزیمم شدت میدان مغناطیسی در هر چرخه هیسترزیس و کاهش پیش تنش مکانیکی، افزایش می یابد، س پس یک مدل تجربی مبتنی بر پارامتر های توانی با در نظر گرفتن سه عامل فرکانس، شدت میدان مغناطیسی و پیش تنش مکانیکی به منظور پیش بینی افت توان ناشی از هیسترزیس مغناطیسی ارایه شده است که اعتبار سنجی این مدل در شرایط متفاوت و جدید، نشان دهنده دقت قابل قبول آن می باشد (در بدترین حالت خطای مدل تجربی نسبت به مدل تحلیلی ها می باشد). مزیت اصلی مدل تجربی ارایه شده نسبت به مدل تحلیلی این است که به منحنی های هیسترزیس مغناطیسی ترفنل - دی به عنوان ورودی مدل نیازی ندارد و تنها با تعیین پارامتر های مربوط به شرایط کاری ترفنل - دی، امکان پیش بینی افت توان فراهم می گردد