اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی آشکارسازهای نوری سولفید کادمیم

در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشهای در گستره از دمای اتاق تا °c 200 مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتاﹰ ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس، نقره، طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس، نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منحنی (I-λ) به سمت انرژیهای کمتر (طول موجهای بلندتر) جابهجا شد. هدف مقاله استفاده از یک روش آزمایش جدید و ابتکاری برای ناخالص سازی و تاثیر دما بر روی فوتوکانداگتیویته لایه سولفید کادمیم میباشد.