ترانزیستوراثر میدان فلز عایق نیمه رسانا)) AlxGa1-xN/GaN MISHFETتحلیل عملکردبرای کاربردهای میکروویو توان بالا
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,821
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_321
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
جی ام gm در این مقاله، یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند و فرکانس قطع میکروویو برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری الکترونی بالا)و ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد آنها به پارامترهای فیزیکی مختلفت MISHFET AlGaN/GaN مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.
نویسندگان