ساخت لایه نازک نیکل برروی زیرلایه سیلسیم به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی برای کاربرد در نانو ادوات اتصال فلز - نیمه رسانا

تشکیل لایه های بسیار نازک مانند بسیاری از دگرگونی فازی مستلزم فرایندهای جوانه زنی و رشد برروی زیرلایه می باشد دراین راستا برای بدست آوردن شرایط بهینه باید مکانیزم جوانه زنی و رشد نیکل برروی زیرلایه Si n+111 بررسی شود که این کار با استفاده از حمام وات و تکنیک الکتروشیمیایی کرونوآمپرمتری مورد مطالعه قرار گرفته است با استفاده از این تکنیک و رسم منحنی های بدون بعد مجذور نسبت جریان نشست به جریان پیک براساس تئوری شریفکر - هیلز ، نحوه جوانه زنی به صورت آنی به اثبات رسید. همچنین نحوه تغییرات مقدار جریان نشست نسبت به t1/2 خطی و نسبت به t3/2 غیرخطی است که تایید کننده مکانیزم جوانه زنی و رشد نیکل به صورت آنی می باشد با استفاده از تصاویر SEM مشخص شد که اندازه جوانه های نیکل کمتر از 100nm است. هدف از انجام این کار ساخت نانو ادوات دولایه نیمه رسانا / فرومغناطیسی است.