اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی نانوسیال آلومینا

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 349

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

MECECONF04_083

تاریخ نمایه سازی: 8 تیر 1398

چکیده مقاله:

در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر انتقال گرمای جابجایی توام آزاد و اجباری در یک محفظه حاوی نانوسیال به روش عددی بررسی شده است. اثر میدان مغناطیسی یکنواخت توسط عدد هارتمن (Ha) تعیین می شود. میدان های جریان، دما و میزان انتقال گرما پیش بینی شده است. بررسی ها به ازای تغییر اعداد رایلی (فرمول در متن اصلی مقاله) و هارتمن (فرمول در متن اصلی مقاله) در حالت دائم انجام شده است. نتایج این بررسی نشان می دهد که با افزایش عدد هارتمن و در حضور میدان مغناطیسی، انتقال حرارت کاهش می یابد.

نویسندگان

محمدرضا نجفی

گروه مهندسی مکانیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه جامع امام حسین (علیه السلام) ، تهران، ایران