بررسی آزمایشگاهی بهبود انتقال حرارت نانوسیال مغناطیسی تحت تاثیر میدان مغناطیسی یکنواخت در لوله مارپیچ

در این مقاله به بررسی آزمایشگاهی تاثیر استفاده از نانوسیال مغناطیسی تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت بر عدد ناسلت نانوسیال مغناطیسی 1 درصد جرمی Fe3O4 در یک لوله مارپیچ با دمای ثابت دیواره در اعداد رینولدز مختلف پرداخته شده است. بستر این بررسی آزمایشگاهی شامل سیم پیچ مارپیچ شکل، مبدل حرارتی، مخزن، پمپ، فلومتر، ترموکوپل و سیستم کنترل دما میباشد.در این بررسی ابتدا تاثیر افزایش دبی جرمی (کاهش قطر) بر ضریب متوسط انتقال حرارت همرفت بررسی شده است؛ مشاهده شده است که افزایش دبی جرمی باعث افزایش ضریب متوسط انتقال حرارت همرفت میشود. در این بررسی آزمایشگاهی، افزایش متوسط عدد ناسلت تقریبا 7 درصدی با اعمال میدان مغناطیسی ثابت 600G مشاهده شده است. با حفظ عدد رینولدز و اعمال میدان مغناطیسی ثابت قویتر900G عدد ناسلت متوسط بیشتری مشاهده شده است. در این پژوهش نتیجه گرفته شده است که وجود میدان مغناطیسی باعث بهبود انتقال حرارت میشود و میتواند حدود متوسط عدد ناسلت را تا %10 افزایش دهد.