کاربرد روش آنالیز هوموتوپی در معادله پواسن – بولتزمن برای افزاره های نیمه هادی

این مقاله کاربردی از روش آنالیز هوموتوپی که اخیرا به دست آمده است را شرح میدهد که برای به دست آوردن تقریب راه حل معادله غیرخطی پواسن - بولتزمن در افزاره های نیمه هادی استفاده میشود. این مقاله یک راه حل تحلیلی برای توزیع پتانسیل در یک ) DG-MOSEFT ترانزیستور اثر میدانی تشکیل شده از فلز - اکسید- نیمه هادی با دو گیت) است.DG-MOSEFT یکی از پیشرفته ترین ساختارها را در تکنولوژی نیمه هادی دارد تمرکز اصلی روی ساخت آن در صنعت نیمه هادی است.

کلیدواژه ها:

معادله غیرخطی پواسن-بولتزمن ، ترانزیستور اثرمیدانی ، آنالیز هموتوپی

نویسندگان

مریم فریور

کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک،مربی سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، شاهین شهر

پروین زنگنه

کارشناسی زبان و ادبیات فارسی، مربی سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، اصفهان

پروانه احمدی مبارکه

کارشناسی ارشد ریاضی، سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، مبارکه

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/936156

شناسه ملی سند علمی:

ECTCONF01_042

تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1398

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

فریور، مریم و زنگنه، پروین و احمدی مبارکه، پروانه،1397،کاربرد روش آنالیز هوموتوپی در معادله پواسن – بولتزمن برای افزاره های نیمه هادی،اولین کنفرانس ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری ارتباطات،اصفهان،https://civilica.com/doc/936156

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1397، فریور، مریم؛ پروین زنگنه و پروانه احمدی مبارکه)
برای بار دوم به بعد: (1397، فریور؛ زنگنه و احمدی مبارکه)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

مقالات مرتبط جدید