ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

ادوات نوین SOI MOSFET درمقیاس نانومتری

محل انتشار: اولین همایش منطقه ای مهندسی برق
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,461

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/96572

شناسه ملی سند علمی:

YAZDEEC01_076

تاریخ نمایه سازی: 7 تیر 1389

چکیده مقاله:

درسالهای اخیر با پیشرفت مقیاس بندی طول کانال افزاره MOSFET در فناوری نانومتری، استفاده از ساختارهای نوین نظیرSIO MOSFET از اهمیت بسزایی برخوردار گردیده است ادوات SOI MOSFET چند گیتی در مقایسه با افزاره های سیلیسیمی عملکرد بسیار بهتری را از خود نشان می دهند اصطلاح چند گیتی در واقع به یک الکترود گیت بر میگردد که دو یا چند ناحیه از کانال را در برگرفته است از میان ادوات SOI MOSFET چند گیتی ، افزارهای نوین گیت 3 دارای مشخصاتی مابین ادوات چهارگیتی و سه گیتی قرار هستند.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مریم نیری

عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مهدیه نیری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

علیرضا حاجی ابراهیمی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Ipri AC."The properties of sil i c on-on-sapphire substrates, devices ...
  • Sturm JC, Tokunaga k, colinge JP.IEEE Electron Dev Lett 1988. ...
  • Sekigawa T, Hayashi Y.Solid State Electron, 1984. ...
  • Hisamoto D, Kaga T, Kawamoto Y, Takeda E.Technical Digest of ...
  • Colinge JP, Gao MH, Romano A, Maes H, Claeys C.Technical ...
  • Miyano S, Hirose M, Masuoka F.IEEE Trans Electron Dev 1992, ...
  • Coling JP, "Multi gate State, 2004, 897 _ ...
  • Yang F-L, Chen H-K, Cheng F-C, Huang C- C, Chang ...
    • نمایش کامل مراجع