طراحی مدار تقویت کننده کم نویز با استفاده از سلف فعا ل با ضریب کیفیت بالا در تکنولوژی CMOS ۰.۱۸um

در این مقاله طراحی مدار تقویت کننده کم نویز با استفاده از سلف فعال در تکنولوژی CMOS ۰.۱۸um ارائه شده است. درمدار ارائه شده از سلف فعال قابل تنظیم به جای سلف پسیو استفاده شده است. در توپولوژی مدار تقویت کننده کم نویز از توپولوژی تقویت کننده کسکود سورس مشترک با فیدبک RC استفاده شده است. جهت تطبیق امپدانس ورودی و خروجی ازمدار سورس فالور استفاده شده است. مدار طراحی شده با استفاده از نرم افزار کیدنس شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده در فرکانس ۱/۵۷GHz بدین صورت می باشد. S۲۱=۲۱ dB , S۱۱=-۱۷dB, S۲۲= -۱۶ dB و NFmin=۱.۹dB. کل مصرف توان این مدار با تغذیه ۱.۸ ولت برابر ۱۳.۵ میلی وات می باشد. در این مدار با بکار بردن سلف فعال با ضریب کیفیت بالا و با دارا بودن قابلیت تنطیم سلف فعال قابلیت مدار بهتر شده وسایز نهایی IC بطور چشمگیر کاهش می یابد.