ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی

در این مقاله یک ترانزیستور سیلیکون روی الماس(SOD) با بدنه ی فوق نازک (UTB) و کانال کوتاه با یک لایه عایق اضافی ارائه شده است. لایه ی عایق اضافی باید گذردهی الکتریکی کمتری نسبت به الماس داشته باشد و بعنوان مثال می تواند SiO2 باشد، لایه ی عایق اول بطور کامل بر روی بستر قرار می گیرد در حالی که لایه ی عایق اضافی به طور جزئی الماس را می پوشاند. ما تاثیر طول لایه ی عایق دوم را بر روی خازن معادل و همچنین تاثیر طول و ضخامت این لایه را بر ولتاژ آستانه ی این ساختار بررسی نموده ایم. ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت به کمک حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت بدنه ی سیلیکونی بدست می آید مقدار کوچکتر بین ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت بعنوان ولتاژ آستانه ی قطعه شناخته می شود، که این حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت برابر با می باشد، اختلاف بین تراز فرمی غیرذاتی در ناحیه ی کانال و تراز فرمی ذاتی است