Germanium Tin Double gate Nano Scale Tunnel Field Effect Transistors for logic application
محل انتشار: چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 517
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_051
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
چکیده مقاله:
Germanium Tin (Ge1-xSnx) as a group IV material has a direct and small band-gap for x > 0.11, which is attractive for the application in tunneling field-effect transistor (TFET). In this work, the design of Ge1-xSnx TFET operating at low supply voltages is investigated by simulation. Device simulation results show that Ge1-xSnx–based TFET can achieve high tunneling current and has potential for logic applications using sub-0.4 V supply voltage
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Danial Keighobadi
Department of Electronic Engineering, Semnan university
Saeed Jafari
Department of Electronic Engineering, Imam Khomeini Naval University of Noshahr
Majid Eshagh Nimvari
Department of Electronic Engineering, Imam Khomeini Naval University of Noshahr
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :