بررسی متغیرها در پارامترهای مختلف الکتریکی انواع نانو ترانزیستورها
محل انتشار: اولین همایش سالانه شیمی و مهندسی شیمی ایران
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 429
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CHCONFERENCE01_039
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله به طراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای و مکعبی در سایز نانومتر می پردازیم و با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی می کنیم. تاثیر پارامترهای مختلف مانند ضخامت اکسید، طول گیت، غلظت ناخالصی، و طول و ارتفاع فین را بر مشخصه های ترانزیستور مانند نمودار ولتاژ جریان، ولتاژ آستانه، شیب زیرآستانه، جریان روشن و جریان خاموش بررسی و با ترنزیستورهای Fin FET و همچنین DG FET مقایسه می کنیم.
کلیدواژه ها:
، (Cy-GAA)Cylindrical Gate-All-Around ، ترانزیستور GAA استوانه ای ، نرانزیستور GAA مکعبی (Re-GAA) Rectangular-Gate All Around
نویسندگان
محمدمهدی مبین
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر
جواد باعدی
عضو هیات علمی گروه فیزیک دانشگاه حکیم سبزواری
حسین فیروزی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر
راحله غلامی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر